一、太阳能电池的p-n结，形成电子和空穴的基本原因是什么？
可能是不断实验的结果，像爱迪生实验了上千种不能导电的金属大概是一个道理吧。
二、太阳能电池为何大多采用pn结作为核心部件？
利用PN结的光生伏特效应发电，光照到pn结上是少数载流子产生偏移，从而形成光生电动势，单晶硅，多晶硅电池是这类PN结构。也有PIN结构的电池，非晶硅，砷化镓，铜铟镓硒，HIT等等。基本原理都是那个光生伏特效应。具体你看看有关半导体的书就明白了。
三、最近在看太阳能电池，发现光吸收层都是P型半导体，为什么N型不能成为光吸收层呢？
关于半导体，有两种载流子：多数载流子和少数载流子。光伏电流是少数载流子的移动而产生的，P型的少数载流子是电子，多子是空穴；N型的少数载流子是空穴，多子是电子。所以P型作为光吸收层能够有利于更多少数载流子（电子）的移动，增加光电流。
四、PiN结在太阳电池方面的应用原理是什么 请高手解答，PiN结中的i 层在光伏电池中的作用，谢谢
非晶硅太阳能电池的结构最常采用的是p-i-n结构，而不是单晶硅太阳能电池的p-n结构。这是因为：轻掺杂的非晶硅的费米能级移动较小，如果用两边都是轻掺杂的或一边是轻掺杂的另一边用重掺杂的材料，则能带弯曲较小，电池的开路电压受到限制；如果直接用重掺杂的p+和n+材料形成p+-n+结，那么，由于重掺杂非晶硅材料中缺陷态密度较高，少子寿命低，电池的性能会很差。因此，通常在两个重掺杂层当中淀积一层未掺杂的非晶硅层作为有源集电区。
PiN结中的i 层，是指的本征半导体，它有吸收阳光和拆分激子的作用。
五、太阳能电池PN节怎么辨认
简要来说，太阳能电池一般采用太阳能级单晶硅或多晶硅片作为太阳能电池，硅片经过光照能够产生电势差，也就是光伏效应。
就和发电机的正负极一样，硅片在生产过程中通过参加不同的杂质使其变为不同的类型，P型和N型，P型硅片通过光照会产生大量的带正电的空穴，N型硅片通过光照会产生大量的带负电的电子，这样就形成了正负极。
PN型号测试仪大致有两大类，一类是冷热探笔测试仪，一类是三探针整流法测试仪。
冷热探笔法的测试原理是，仪器有两个探针，一冷一热，硅片在热探头接触处将被加热，P型硅和N型硅受热后由于传输电流的载子不同，P型利用空穴（带正电）传输电流，N型利用电子（带负电）来传输电流，所以P型硅和N型硅传输电流的方向相反，通过电流方向即可区分PN型。
三探针的测试原理是，仪器有三个探针，1、2号探针之间通过限流电阻接12V电压，2、3之间接检流计；1、2探针间的交流波形，在同纯电阻电路中，利用电压和电流的波形差异，形成2→3或3→2的电流，来区分PN型。
简要说来就是这样了。还有好多的细节不是一句话两句话能说清楚的。抛砖引玉，你可以自己在看看相关资料。
六、太阳能电池的输出特性
太阳能电池的输出特性：太阳能电池的工作电压和电流是随负载电阻而变化的，将不同电阻对应的工作电压和电流值制成曲线，即可得到太阳能电池的伏安特性曲线。
如果所选择的负载电阻值能够最大化输出电压和电流的乘积，则可以获得由符号PM表示的最大输出功率。此时，工作电压和电流称为最佳工作电压和电流，分别用符号Um和Im表示。
P-N结太阳能电池包含一个形成于表面的浅P-N结、一个条状及指状的正面欧姆接触、覆盖整个后表面的后欧姆接触和正面的抗反射层组成。当电池暴露在太阳光谱中时，能量小于禁带宽度Eg的光子对电池输出没有贡献。
能量大于禁带宽度Eg的光子将为电池的输出贡献能量Eg，而能量小于Eg的光子将以热的形式被消耗。因此，在太阳能电池的设计和制造过程中，必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。
扩展资料：
太阳能电池的使用寿命由电池片，钢化玻璃，EVA，TPT等的材质决定，一般来说，使用较好材料的厂家生产的太阳能电池板的使用寿命可达25年，但随着环境的影响，太阳能电池板的材料会随着时间的变化而老化。一般来说，20年后电力将减少30%，25年后将减少70%。
太阳能电池主要以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能，产生光电转换反应。
参考资料来源：搜狗百科-太阳能电池
参考资料来源：搜狗百科-太阳能电池板
