一、那种太阳能电池电力最强
呵~不太理解你的电力指的是啥？？ 功率？电压？ 转换效率？？还是寿命？？还是慢慢给你嗦一下子吧：
硅基太阳电池主要分为薄膜电池、传统晶体硅电池（单晶、多晶）、异质结高效电池，详细如下：
1.薄膜太阳能电池主要指多结叠层薄膜组成的P-N结结构，此类电池转换效率普遍偏低，如果你问的电力是指转换效率的话目前世界上硅基薄膜电池量产效率一般<10%，市场也较小，而且由于硅基薄膜的特性，此器件的衰减较严重，如果你问的是功率的话那和厂家做的面板面积大小有关；
2.传统晶硅电池包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池，该类电池是光伏行业最成熟的产品，目前单晶硅电池片的量产转换效率一般在18%--19%左右，多晶硅电池的转换效率一般~17%左右；至于功率的话和组件（面板）面积相关，有些公司做的面板是由156mmX156mm的小电池组成，有的是125mmx125mm的小电池片组成，一般说来功率分布在250W左右吧，貌似现在功率低于200W就很难通过认证了，而且此类电池的成本较低，目前占市场比例最大；
3.个人觉得异质结高效太阳电池是未来光伏发展的趋势。“高效电池”顾名思义转换效率比上述几种电池都高，目前世界上做的最好的“带头大哥”是日本Sanyo公司，今年最新报道出研发效率达到24.7%，显然成为世界上硅基电池的记录，量产效率在20%左右，因此，如果论转换效率的话那此类电池无疑最牛逼。但是，该类型的电池目前技术尚未成熟，成本居高不下，在市场中占有很小的份额。
以上信息希望能对你有所帮助。
二、太阳能电池工作原理
太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
三、半导体太阳能电池的工作原理？
半导体太阳能电池的基本结构是一个PN结，平衡下的PN结对外显中性。当能量大于半导体禁带宽度的光子照射到PN结上时，会激发电子-空穴对，使PN结两端产生电压，接上负载可以形成电流。
欢迎追问。
四、PN结通电致发光（LED灯） 和在阳光下产生电势差（光伏效应）两者间的联系是什么？
你的问题还挺多，要分开来慢慢解释。
1、LED发光：要搞清楚这个问题，首先，你需要了解PN结的形成原理。
PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中，其P 型 与 N型半导体材料相互结合的部分。
P型材料有着“多数可以移动的正电荷（空穴）” 和 “少数固定不动的负电荷（负离子）”；
N型材料有着“多数可以移动的负电荷（自由电子）” 和 “少数固定不动的正电荷（正离子）”；
当P型和N型材料接触时，通过结合处，P型材料中的正电荷向N型材料中扩散，而N型材料中的负电荷则向P型材料中扩散。
这些扩散的正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中，有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），但是在这一区域却分布着带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），这一区域称为空间电荷区 。
P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。（内建电场）
在上面所述的基础上，就可以理解以下几个问题
1、LED的发光，既不是PN结，也不是非PN结，而是当LED接通外部电源后，外来的载流子打破空间电荷区的平衡后产生的。
因为空间电荷区有阻力，所以载流子要突破这个区域需要能量，当这个能量积累到一定的程度，载流子就可以由P区进入N区，这个进入的过程也是能量释放的过程，在这个过程中，载流子把电势能转换成了光能和热能。
单个载流子所释放出的光能是极其微弱的，并且只是一闪而过，不能持续，所以要想有一个持续而又明亮的发光过程，就必须有一个持续的外部电源以及更多的载流子参与进来。
因为这样的一个过程除了发光，同时还在发热，有发热则说明器件在进行有效工作的同时，自身还在产生消耗，这个消耗对器件本身有着老化和破坏的作用，因此，LED的寿命跟制作这个LED的材料还有它的工作环境有关系，通常所述的3万小时寿命是指在实验室的相对理想的环境下达到的，实际使用中没有这么长，甚至会因为过度的电压或电流而导致LED瞬间烧毁。
光伏效应：光照并不是去导通PN结，在理解这个问题时，你要确定一点，“光”也是能量的一种形式。
当光照射到已形成PN结的半导体材料上面，会让这个半导体材料获得一定的能量，这个能量导致P型和N型半导体材料产生出更多的载流子（空穴和自由电子）。
因为在光照前，PN结已经形成，也就是内建电场也已形成，由于内建电场是有方向性的，所以光照形成的载流子（光生载流子），会按照这个方向在内建电场中流动（空穴流向N，自由电子流向P），这一动作导致了内建电场的减小。
只要光照是持续的，那么，内建电场最终会小到能让光生载流子轻松的突破PN结，从而产生电流，这个时候，这个被光照的半导体材料就具备了能够对外提供电动势的能力。
综上所述，在一个拥有PN结的半导体器件中，非PN结部分最大的作用就是产生PN结，只有PN结形成后，这个器件才能拥有上述光照或光电转换的功能。
因此，PN结不存在“消耗完”这个概念，只要相结合的P型材料和N型材料还在，这个PN结会永远的存在下去，我们只是利用外力来突破这个PN结，从而达到我们需要的目的。
至于半导体器件的寿命，这跟制造半导体器件的材料构成、制造工艺以及使用环境有关，厂商给出的寿命都是在特定的实验室环境下通过测试和推算得出的。
（就好像一团泥巴，你用特定的水流量来冲击他，冲击时间是1分钟，完成后，这团泥巴被水冲掉了十分之一的重量，那么推算一下，这团泥巴在这个特定的水流量下，也许可以经受住10分钟的冲击，那我就说他在这个状态下的寿命是10分钟）
