(1)GaAs (2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 (3)＞ (4)BCD
由晶胞的结构知每一个砷化镓晶胞中含有4个As原子、4个Ga原子，因此砷化镓的化学式为GaAs。(2)N、P、As为同一主族元素，其氢化物结构相似，相对分子质量越大，则分子间作用力越大，沸点越高，但由于NH 3 分子间可形成氢键，沸点反常的高，故其氢化物的沸点高低顺序为NH 3 >AsH 3 >PH 3 。(3)As与Ga位于同一周期，分别为ⅤA与ⅢA族，As的p轨道处于半充满的稳定状态，故第一电离能：As＞Ga。(4)结合题给GaAs的晶胞结构图可知其晶胞结构与NaCl不同；在GaAs的晶胞中，每个Ga原子连接4个As原子，构成正四面体；结合(3)中分析Ga，As在周期表的位置可知其电负性：As＞Ga；在GaAs的晶胞中，每个Ga原子与4个As原子形成4条共价键，由于Ga原子最外层只有3个电子，故其中1条共价键的电子对完全由As原子提供，形成配位键。
硅工艺和砷化镓工艺都有哪些晶体管的结构和电路形式
陶瓷电路板的工艺分为HTCC、LTCC、DBC、DPC、和目前获得国家发明专利众成三维电子生产销售研发的LAM（激光快速活化金属化技术）LAM（激光快速活化金属化技术）主要用于：LED领域大功率半导体模块半导体致冷器电子加热器功率控制电路功率混合电路智能功率组件高频开关电源固态继电器汽车电子航天航空及军用电子组件太阳能电池板组件
效率高达32.57%!美国科学家研制出一种III-V太阳能电池
导读：美国国家可再生能源实验室的科学家们通过将砷化镓薄膜堆叠在带有玻璃夹层的互插式背接触硅太阳能电池上，模拟出一种III-V太阳能电池。科学家们已经完成了一些初步的微型模块集成工作，但要达到商业化，终究还需要大幅扩大尺寸。该电池目前的有效面积为1平方厘米。
美国能源部国家可再生能源实验室（NREL）的一组研究人员通过将砷化镓（GaAs）薄膜堆叠在带有玻璃夹层的背隙接触（IBC）硅太阳能电池上，模拟了一种四端串联的III-V太阳能电池。
该项目的主要研究人员Adele Tamboli表示：“虽然我们已经做了一些初步的微型模块集成工作，但要实现商业化，最终还需要大幅扩大尺寸，这些电池在解决了几个挑战之后可以达到商业化。组件电池都已经在工业规模上进行了演示。然而，成本仍然很高，需要降低。”
科学家们解释道：“该装置的有效面积为1平方厘米，据称与在同一研究水平上建造的类似电池相比，效率更高，因为砷化镓吸收层的厚度得到了优化。如果吸收层太薄，通过顶部电池的传输将增加，而高能量的光子将在较低的电压下被底部电池收集。如果吸收层太厚，接近吸收层材料的少数载流子扩散长度，产生的载流子将过早地重新结合，光子能量会以热量的形式损失掉。”
砷化镓电池是通过金属有机气相外延（MOVPE）在砷化镓衬底上生长的。吸收层的厚度在1.5到3.5微米之间，2.4微米最佳。厚度为300微米的IBC电池由德国的哈梅林太阳能研究所（ISFH）提供。学者们表示：“通过将处理过的砷化镓电池堆叠在非晶硅底层电池上，中间有一薄层用于反转的环氧树脂，来组装串联的电池，然后将得到的电池在室温下固化24小时。”
研究人员发现，当砷化镓厚度超过1.5微米时，所有用这种设计开发的四端串联电池的效率都超过了32%。一个吸收层厚度为2.8微米的电池显示出最高的顶部电池和串联效率，分别为26.38%和32.57%。研究小组强调：“虽然这里的砷化镓顶部电池的填充系数（FF）略有下降，但IBC底部电池表现出的效率比之前使用的硅异质结底部电池略高。”
