一、1gw光伏电站需要多少晶硅？
1GW=1000MW=100万kW现在用的最多的多晶硅组件280W/块。你可以计算一下大概需要多少块组件。
二、非晶硅光伏电池有哪些优缺点？
优点：
1.非晶硅具有较高的光吸收系数.特别是在0.3-0.75um的可见光波段,它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级.因而它比单晶硅对太阳能辐射的吸收率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(约1um厚)就能吸收90%有用的太阳能.这是非晶硅材料最重要的特点,也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素.
2.非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,随制备条件的不同约在1.5-2.0eV的范围内变化,这样制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高.
3.制备非晶硅的工艺和设备简单,淀积温度低,时间短,适于大批生产.制作单晶硅电池一般需要1000度以上的高温,而非晶硅电池的制作仅需200度左右.
4.由于非晶硅没有晶体硅所需要的周期性原子排列,可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题.因而它几乎可以淀积在任何衬底上,包括廉价的玻璃衬底,并且易于实现大面积化.
5.制备非晶硅太阳能电池能耗少,约100千瓦小时,能耗的回收年数比单晶硅电池短很多.
缺点：就是非晶硅太阳能电池板的光电转换率不如多晶硅和单晶硅,非晶硅太阳能电池板的光电转换效率是单晶硅和多晶硅的一半左右.
三、非晶硅光伏板晚上能发电吗？
不管是什么载体的光伏发电系统，阴雨天和晚上是没有电能输出的。在其他光照的干扰下所产生的电能非常微弱可以胡略不计，单晶硅和多晶硅薄膜的发电原理基本一致。只是单晶硅的能效转换率高于多晶硅，单晶硅的成本高于多晶硅。光伏发电面板所用材质不一样，所获得的能效转也不一样。他们的共同特点就是依赖太阳光照进行能效转换，没有太阳光或者夜晚是无法转换成电能！
四、光伏晶硅是什么？
晶体硅材料是最主要的光伏材料，性质为带有金属光泽的灰黑色固体、熔点高（1410）、硬度大、有脆性、常温下化学性质不活泼。其市场占有率在 90%以上，而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。
晶硅料是信息产业和太阳能电池产业的基础原材料，由石英砂加工的冶金级硅精炼而来，用于制造基于晶体硅的电池组件。多晶硅片对于单晶硅片存在一定成本优势。
五、光伏晶硅制造流程？
具体的制造工艺技术说明如下：
（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。
（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。
（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成pN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
（6）去除背面pN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面pN＋结。
（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TIO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、pECVD法或喷涂法等。
（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。
六、光伏电站培训的内容？
1.光伏产业最新国家政策及发展现状与趋势2. 专业的 EPC 公司应具备的资质条件、人员配置要求 3.分布式光伏电站类型介绍、并网条件、接入电压等级4. 分布式光伏系统中主要部件的选型分析(光伏组件、逆变器、支架、线缆等) 5.分布式光伏电站现场勘查及设计要点(水泥屋顶、彩钢瓦屋顶、瓦面屋顶) 6.分布式光伏电站项目方案制定与现场管理7. 分布式光伏电站的前期开发、并网流程及方法8. 常见屋面荷载的预判、安装容量快速估算9. 分布式光伏电站的组件、支架、逆变器、线缆施工工艺控制与基础设计10. 分布式光伏电站方阵的倾角设计、阴影计算11. 屋顶分布式光伏电站整套案例的讲解12. 渔光互补、农光互补项目的选址要求、设计要点13. 光伏电站的系统调试、并网验收14. 逆变器常见问题分析与解决方案15. 光伏电站的运行维护及日常管理16. 光伏电站的成本分析及投资回报测算17. 现场交流解答开发、设计、施工、运维中的经验和问题
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七、光伏电站的光伏板用什么清洗最高效？
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八、光伏组件晶硅在光伏重要性？
硅料也是光伏发电池的重要原材料。硅料产生作用的原理是硅是属于半导体材料，当它受到太阳光线照射后，就会发生光电效应而产生电能。
在目前，现存的绝大多数光伏厂家生产的硅料，多用改良西门子法。这也是目前应用最为广泛，发展最为成熟的工艺技术。如今，“颗粒硅”技术逐渐映入人们的眼帘。有业内人士预测判断，颗粒硅有望引发多晶硅制造的一场颠覆性技术革命。随着硅料技术的不断升级换代，制造硅料的方法也逐渐稳定下来。由此，硅料的价格会逐渐下降，硅料的供给也会逐步释放，硅料需求会逐渐释放，光伏产业链也会变得更加完善。
从前，由于硅料价格过高，抑制了市场需求。如今，硅料技术成熟，并且有许多的龙头企业不断加大对硅料技术的投入，比如通威股份，保利协鑫等等。当硅料技术优势显著提高后，装办光伏企业才能得到长足的发展。
九、光伏电站系统设计指南 - 如何规划光伏电站系统
光伏电站系统设计指南
光伏电站系统设计是指如何规划光伏电站系统的方案和布局。光伏电站通过太阳能光伏电池板将阳光直接转换为电能。下面将介绍光伏电站系统设计的相关内容。
光伏电站系统设计概述
光伏电站系统设计是一个综合性工程，需要考虑光伏电池板选址、倾角、朝向、阵列方式、逆变器选型、电网连接、配电系统设计、系统安全等方面的因素。
光伏电池板选址
光伏电池板的选址是光伏电站系统设计的首要环节。选址需要考虑日照时间、地形地貌、遮挡物、安全距离以及未来发展等因素。
倾角和朝向
光伏电池板的倾角和朝向会直接影响光伏系统的发电效率。根据所在地纬度确定合适的倾角，朝向则以正南方向为佳。
阵列方式
根据地形和光照条件，选择合适的光伏电池板阵列方式，常见的包括水平单轴追踪、声学单轴追踪、固定倾斜等。
逆变器选型
逆变器是光伏系统中的重要组成部分，负责将光伏电池板的直流电转换为交流电。在选型时需要考虑功率、效率、稳定性和维护成本。
电网连接
光伏电站系统设计中需要考虑与电网的连接方式，包括并网逆变器的选择、升压站建设、电网接入申请等问题。
配电系统设计
配电系统设计包括光伏组件串并联方式、集中式或分布式逆变器布局、配电柜选型等内容。
系统安全
光伏电站系统设计需要充分考虑系统安全问题，包括防雷、防倒灌、防盗、防火等方面的设计。
通过以上内容的详细介绍，相信读者对光伏电站系统设计有了更深入的了解。感谢您阅读本文，希望对您规划光伏电站系统时有所帮助。
十、非晶硅和晶硅的区别？
晶体硅光电池 晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发带状硅光电池技术，提高材料利用率。国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅，可降低成本，但效率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，千方百计进一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6%。
非晶硅光电池 a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。发展集成型a－Si光电池组件，激光切割的使用有效面积达90％以上，小面积转换效率提高到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的最高效率为21％。研发动向是改善薄膜特性，精确设计光电池结构和控制各层厚度，改善各层之间界面状态，以求得高效率和高稳定性。
多晶硅光电池 P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%。采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a—si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是提高比a—S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原风是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩人开发规模，着手组建中试线及制造厂。
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。