一、光伏PN结光电效应指的是什么？
它们产生一个与热平衡PN结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区
二、pn结接法？
法/步骤
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常见的接线方法分为两类：T568A/T568B
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T568B:
接线顺序：白橙 橙 白绿 蓝 白蓝 绿 白棕 棕
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T568A：
接线顺序：白绿 绿 白橙 蓝 白蓝 橙 白棕 橙棕
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常见的连接方式：直连线互连/交叉互连
T558B——T558B（直连）默认接法
T568A——T558B（交叉）
三、pn结参数？
PN结是半导体器件中最重要的部分之一，它是由P型和N型半导体材料结合而成的结。以下是PN结的一些常见参数：
导通电压（V）：PN结导通时所需的电压。当PN结两端电压大于导通电压时，PN结导通，电流可以自由流动。
正向电压（V）：当PN结两端加上正向电压时，PN结会正向偏置，电流从P区流向N区。正向电压通常较低，通常小于1V。
反向电压（V）：当PN结两端加上反向电压时，PN结会反向偏置，电流从N区流向P区。反向电压通常较高，通常大于10V。
正向电流（mA）：当PN结正向偏置时，流过PN结的电流。正向电流越大，PN结的功率消耗也越大。
反向电流（μA）：当PN结反向偏置时，流过PN结的电流。反向电流越小，PN结的反向隔离性能越好。
结电容（pF）：PN结的电容，它包括扩散电容和势垒电容。结电容越小，PN结的频率特性越好。
击穿电压（V）：当PN结两端加上反向电压时，如果反向电压超过击穿电压，则PN结将被击穿，导致电流急剧增加。击穿电压通常在几百到几千伏特之间。
最高反向电压（V）：PN结所能承受的最大反向电压。在使用时，应确保反向电压不超过最高反向电压，以避免PN结被击穿或损坏。
这些参数会因材料、工艺和具体应用的不同而有所变化。在实际应用中，需要根据具体需求和使用条件来选择合适的PN结器件和参数。
四、pn结原理？
PN结是半导体器件的基本结构，由p型半导体和n型半导体组成的结构。它的基本工作原理是光、电、热等能量激发下，p型和n型半导体边界处会形成一个电子井，从而形成电子-空穴对，即正负离子对，同时形成电场。以下是PN结的基本原理：在PN结中，p型半导体和n型半导体的掺杂浓度不同，两者之间形成了浓度差。当p型区域中的多数载流子（空穴）和n型区域中的多数载流子（电子）通过扩散达到界面处时，发生了电子与空穴复合的现象，从而在PN结区域内形成了一个空穴密度和电子密度都比较低的区域，也就是所谓的本征区。由于p型半导体和n型半导体的砷、硼等杂质大致相等，所以会在PN结的空间区域中形成一个薄的耗尽层。
在杂质浓度逐渐递增的区域，电子和空穴的扩散将逐渐达到平衡，形成一个电子井。当两者达到平衡状态时，空穴和电子被彼此的电场吸引，电子从n型区移动到p型区，同时空穴从p型区移动到n型区。这就产生了n型半导体向p型半导体的扩散电流，反之亦然，形成了一个电场。这个电场的方向是从p型半导体的正面向n型半导体的负面，称为内建电场。这个内建电场是PN结的本质，可以控制电子和空穴的流动方向，实现半导体器件的正常工作。
当外加电源与PN结连接时，在PN结的两端会产生外加电场，这个外加电场的方向与内建电场的方向相反，电子和空穴被挤出内建电场所形成的电阻降，继而发生电流流动。因此，当外部电源的方向与内建电场方向相同时，电流容易通过PN结，形成正向电流；当外部电源的方向与内建电场方向相反时，需要突破内建电场的作用，才能形成反向电流，即其电阻很大，称之为反向电阻。根据这个原理，可以实现各种半导体器件的制作，如二极管、场效应晶体管、MOSFET、BJT等。
五、pn结符号？
A：发射极e B：基极b C：集电极c 此BJT是NPN管 发射节的压降是0.7V 所以A、B是发射极和基极,剩下C是集电极 因为是在放大电路中,发射结正偏,集电结反偏.已知集电极电压是最高的,要使集电节反偏,必为NPN管.从而易知A为发射极,B为基极
六、异质结光伏概念？
光伏异质结就是指由两种不同的半导体材料组成的结。
它是在单晶硅基板的两面沉积上薄膜硅，形成高效太阳能电池。也就是说，异质结电池是基于硅片的太阳能电池技术和薄膜光伏技术的融合体，这意味着异质结电池同时具备晶体硅太阳能电池的光吸收性能和薄膜电池的钝化特性，称得上是“强强联合”。
七、pn结别是什么结？
PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。
一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。
八、PN结有什么？
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
九、pn结最大电流？
二极管的最大电流参数相关的主要有：最大整流电流IF，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关；正向峰值电流（正向最大电流）IFM（IM），是在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流；反向峰值电流IRM；反向不重复峰值电流IRSM；最大稳压电流IZM，仅适用于稳压二极管。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
十、pn结反向电压？
应该是pn结反向裁止
PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。
在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。
N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。
因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。
P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。
当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。
