一、光伏pecvd工艺流程详解？
光伏PECVD的具体工艺流程如下：
1. 表面准备：将待沉积材料的基底表面清洗干净，并在表面形成一个良好的初始层，以促进后续沉积层的附着和稳定性。
2. 前处理：将基底置于PECVD反应室中，通过加热或辅助加热的方式使基底温度达到沉积温度，以提高反应的速率和质量。
3. 气体进料：将沉积气体引入PECVD反应室中，该气体是一种含有预先确定化学成分的气体混合物，可以通过单一气体或多种气体混合而成。
4. 等离子体产生：通过电极放电将气体引入PECVD反应室中，产生等离子体。等离子体的形成是PECVD技术的关键步骤，它将气体分解成反应物种和活性离子。
5. 沉积：等离子体产生后，反应物种和活性离子在基底表面发生化学反应，并沉积在基底表面形成薄膜。
6. 后处理：沉积完成后，需要对薄膜进行后处理，如退火、氧化、硝化等，以提高薄膜的质量和稳定性。
二、pecvd设备介绍？
PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种常用于薄膜沉积的技术，它利用等离子体效应增强气相化学气相沉积过程。PECVD设备则是用于实施PECVD工艺的专用设备。
PECVD设备通常由以下主要组件组成：
1. 反应室：主要用于放置沉积目标物和执行化学反应的区域。通常是一个真空密封的室内环境，以确保沉积过程在准确的气氛和温度下进行。
2. 气体供应系统：用于提供沉积所需的气体和混合气体。PECVD常用的气体包括硅源气体（如SiH4）、氨气（NH3）以及其他补充气体（如氧气O2、二氧化氮NO2等），以实现特定的化学反应。
3. RF (Radio Frequency) 电源：用于在反应室内产生等离子体。RF电源产生高频电场，在离子化气体（如氨气）中形成等离子体和活性物种。
4. 加热系统：用于加热沉积目标物（如衬底、晶片等），以控制沉积过程中的温度。
5. 排气系统：用于排除反应室中的废气，并维持合适的真空环境。这通常包括真空泵、真空计和气体处理系统。
在PECVD过程中，气体混合物通过供应系统进入反应室，然后通过RF电源产生的电场激发等离子体，并在反应室中形成活性物种。活性物种与材料表面相互作用，导致化学反应发生，同时生成固态薄膜沉积在目标物表面。
PECVD技术常用于制备具有特定功能的薄膜，如氧化物薄膜、氮化薄膜、碳基薄膜等，广泛应用于半导体、光电子、显示器件以及一些MEMS（微机电系统）应用中。
需要注意的是，不同的PECVD设备可能会有一些细微的差异和特殊的功能，因此在使用PECVD设备时，应根据具体的设备和化学反应需求来调整和优化工艺条件。
三、pecvd是什么工艺？
基本原理是:
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。
四、sacvd和pecvd的区别？
SACVD和PECVD都是常用的化学气相沉积（CVD）技术，用于在半导体加工中制造薄膜。它们之间的区别如下：
1. 定义：SACVD是选择性氧化化学气相沉积（Selective Oxidation Chemical Vapor Deposition）的缩写，PECVD是等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）的缩写。
2. 反应原理：SACVD基于一种选择性的化学反应，通过选择性的氧化来生长薄膜；PECVD是通过等离子体的作用来提高反应速率和薄膜质量。
3. 应用范围：SACVD主要用于硅的选择性氧化，以形成氧化硅膜（SiO2）；PECVD可用于许多薄膜材料的制备，如氮化硅（SiN），氮化铝（AlN），氧化锌（ZnO）等。
4. 反应条件：SACVD需要高温和选择性的氧化气氛；PECVD则需要更低的反应温度和等离子体。
5. 薄膜性质：SACVD生长的氧化硅膜具有更好的密度和厚度均匀性，PECVD薄膜的密度和均匀性较差，但可以获得更高的沉积速率。
综上所述，SACVD和PECVD虽然都是化学气相沉积技术，但基于不同的反应原理，应用范围不同，也有不同的反应条件和薄膜性质。
五、pecvd技术的主要优点？
PECVD技术的特点如下:
(1)沉积温度低
如PECVD沉积TiN膜，成膜温度仅为500℃，而传统CVD为1000℃左右，因此可在不耐高温的材料上沉积成膜。
(2)膜与基材结合强度高
这是由于离子具有溅射清洁基材表面和轰击效应。
(3)成膜速度快
其它条件相同时，比传统CVD工艺的沉积速度快。
(4)可制膜层材料的范围
由于等离子体的激发，使得难以发生反应而形成的成膜材料沉积成膜
六、PECVD工作原理是什么？
PECVD--等离子体化学气相沉积法 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). 实验机理： 辉光放电等离子体中：电子密度高(109~1012/cm3) 电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍 虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大提高了参与反应物的活性。 因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。 优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔少，不易龟裂。 缺点：1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高； 2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害； 3.对小孔孔径内表面难以涂层等。
七、光伏50和光伏etf区别？
光伏50是光伏板块中有代表的50个样本的指数基金，光伏ETF是光伏板块中多个样本的指数基金，光伏ETF更广泛包括的品种多。
八、光伏模组，什么是光伏模组？
太阳电池模板（Photovoltaic Module）、光伏板（Photovoltaic Panel）又称作太阳能模组、太阳能板，是将许多光伏电池（Photovoltaic Cell，太阳能电池）互连并包装的产物，如此互连的而达到的发电规模可提供商业大楼、住宅使用。
单个光伏板也只能产生一定的电力，典型的发电范围从100W到320W。固将许多光伏模组互相连接就成为了光伏阵列。使用光伏发电（太阳光发电）通常使用了一个光伏阵列或数个光伏模组与一个逆变器、电池组与互连线路。
九、光伏硅片和光伏玻璃区别？
硅片硬度高。
首先玻璃含有硬度较低的氧化钠、氧化钙等碱金属氧化物。其次，玻璃中的二氧化硅不是结晶状态，其原子结构没有形成稳定的网络结构。而硅片是二氧化硅晶体，原子排列有序，是氧硅健最稳定的结构。所以硅片的硬度高。
十、什么是光伏？光伏的用途？
太阳能发电分为光热发电和光伏发电。通常说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电，简称“光电”。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。
太阳能是取之不尽、用之不竭的清洁能源。太阳能发电分为光热发电和光伏发电。通常说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电，简称“光电”。光伏发电系统由太阳电池板（组件）、控制器和逆变器三大部分组成，它们主要由电子元器件构成，不涉及机械部件，因而发电设备极为精炼，可靠、稳定、寿命长，安装维护简便。与常用的火力发电系统相比，太阳能发电系统除了无污染排放外，还具有建设周期短和可利用建筑屋面的优势。
太阳能作为世界上最清洁的能源，目前有着广泛的用途。但由于质量、价格的限制，太阳能发电在国内的利用还处在低水平上，与中国的经济发展形成很大的反差。
8月1日，国家发改委公布了全国统一的太阳能光伏发电标杆上网电价，即2011年7月1日及以后核准的太阳能光伏发电项目（除西藏外），均按每千瓦时1元执行。不少业内人士认为，这是我国光伏发电产业发展的重要里程碑，光伏发电也将开始走上商业化的道路。
随着中国光伏发电产业的规模化发展，光伏发电在成本上一定会有所降低，预计在2014年左右会与传统电价持平并在此后低于传统电价。专家预测，随着我国对于光伏发电产业的扶持，在3到5年内，光伏发电有望进入到每家每户。
