我记得是三电平架构，使用多个并联mos管组成。这种方法的好处是成本优势。当然每个单元由50KW模组并联，后期维护更换方便。当然缺点也是显而易见的，设计复杂，产品可靠性难以保障。模组的原理很简单，一个主控单元均分功率至剩余9个从机单元。在弱光时，可适当切除一些模组，提高其低功率是运行效率。
50KW应该是IGBT，一般的MOSFET是用在小功率，10个50KW输出可能是相位和频率一致的三相电，就知道这么多
我记得是三电平架构，使用多个并联mos管组成。这种方法的好处是成本优势。当然每个单元由50KW模组并联，后期维护更换方便。当然缺点也是显而易见的，设计复杂，产品可靠性难以保障。模组的原理很简单，一个主控单元均分功率至剩余9个从机单元。在弱光时，可适当切除一些模组，提高其低功率是运行效率。
50KW应该是IGBT，一般的MOSFET是用在小功率，10个50KW输出可能是相位和频率一致的三相电，就知道这么多