一、太阳能电池A级，B级,C级，是按照什么标准划分的？请给出详细资料。
转换效率，外观色差和完整度等。具体其实并没有十分严格的划分
二、目前公司常见的太阳电池片规格有 几种，按电流分有哪几档？
大概的有如下分类
类别分单晶、多晶
尺寸分5'、6'
栅线分三线、两线；连续、不连续
......
按电流不好说，5A-8.6A，分几档你说了算
三、大家好!请帮忙回答太阳能电池片分ABCD四种类型,是什么标准,谢谢大家不吝赐教!
制造 路灯, 草坪灯用的小太阳能板规格一般都是滴胶工艺，太阳能电池片的级别是对正片而言的，小太阳能板使用的都是切割后的小块，没什么级别可言
四、太阳能行业的硅片检验标准怎么判定A/B/C级？
一个完整的公司每个环节都是健全的，目前在全球最大的太阳能制造厂ipc工作，如果需要可以帮你建立进料检验体系，
五、太阳能电池片为什么效率在18.22却分到17.8档里了
正如你所说，电池效率是分档的，所以每个档位都是一个效率段，所以有可能18.22是在17.8这个档范围内（可能性不大，但也不能排除）。
还有一个钟可能就是电池厂家主流效率段是17.8，但是又有少量18.22，想要出售又不能批量生产，扔了有可惜，干脆掺到低效率段。
六、太阳能硅晶片生产流程？
切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。
清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。
制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。
5） 周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
（6） 去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。
（7） 制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
（8） 制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
（9） 烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。
由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。