1、首先由石英砂和焦炭在电弧炉中制取纯度较低的粗硅
SiO2+2C=Si+2CO↑ （ 反应条件加热3273K）
2、然后将粗硅转化为有挥发性并易提纯的四氯化硅或三氯氢硅
Si+2Cl2=SiCl4 （ 反应条件加热723K～773K）
Si+3HCl=SiHCl3+H2↑ （反应条件加热523K～573K）
3、再用精馏法提纯SiCl4和SiHCl3，在电炉中用氢气还原，得到纯度较高的硅
SiCl4+2H2=Si+4HCl （反应条件加热）
4、最后用熔融法进一步提纯并制成高纯单晶硅。
1、首先由石英砂和焦炭在电弧炉中制取纯度较低的粗硅
SiO2+2C=Si+2CO↑ （ 反应条件加热3273K）
2、然后将粗硅转化为有挥发性并易提纯的四氯化硅或三氯氢硅
Si+2Cl2=SiCl4 （ 反应条件加热723K～773K）
Si+3HCl=SiHCl3+H2↑ （反应条件加热523K～573K）
3、再用精馏法提纯SiCl4和SiHCl3，在电炉中用氢气还原，得到纯度较高的硅
SiCl4+2H2=Si+4HCl （反应条件加热）
4、最后用熔融法进一步提纯并制成高纯单晶硅。