空间红外遥感专家。福建南安人，1968年毕业于西安交大无线电工程系电子计算机专业。现任中科院上海技物所研究员，FY-2气象卫星副总师。1997年全国优秀科技工作者，1999年全国五一劳动奖章获得者，2000年全国先进工作者。长期在科研第一线从事红外光电技术研究，是我国静止气象卫星红外光电遥感技术研究的带头人。负责研制了风云二号气象卫星的核心探测仪器--多通道扫描辐射计，先后用于1997年发射的FY-2A星和2000年发射的FY-2B星。研制中，制定并实现了技术先进、符合国情的总体方案；确定并组织突破了空间光机扫描与红外探测的多项关键技术；发展了我国空间红外遥感仪器的辐射定标实验技术，经历十多年的艰苦努力，使我国静止气象卫星获取的三种图像质量，在总体上达到国外正在应用的同类卫星的水平，这是我国卫星红外光学遥感技术的重大突破。在光电检测技术的研究中，将技术创新与工业应用密切结合，深入现场解决新技术应用的问题，对热扎圆钢在线光电检测技术及其发展应用有突出成绩，已发展成系列性的仪器。
2000年承担和负责风云二号（C、D、E）卫星五通道扫描辐射计的研制任务，成功用于2004年发射的风云二号星，在第一代自旋静止气象卫星上达到国外第二代应用卫星成像仪的主要技术性能，对实现我国静止气象卫星业务应用起到了关键作用。 半导体物理和器件专家。江苏宜兴人。1966年毕业于上海师范学院物理系，1984年中科院上海技术物理研究所获博士学位。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1993到2003年任中科院红外物理国家重点实验室主任。现任《红外与毫米波学报》主编，上海太阳能电池研发中心主任。长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性，提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式，确定了材料器件的光电判别依据；开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。发表论文316篇，《窄禁带半导体物理学》中英文专著各一本。获国家自然科学二、三、四等奖各1项、中国科学院自然科学一等奖2项、二等奖2项、中国科学院科技进步一等奖1项、上海市科技进步一、二等奖各1项。是科技部973项目首席专家、国家科学基金创新研究群体学术带头人，现任全国人大代表。
光伏的国内历史
1958，中国研制出了首块硅单晶。
1968年至1969年底，半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。
1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球同步轨道卫星研制生产太阳电池阵。
1975年宁波、开封先后成立太阳电池厂，电池制造工艺模仿早期生产空间电池的工艺，太阳能电池的应用开始从空间降落到地面。
1998年，中国政府开始关注太阳能发电，拟建第一套3MW多晶硅电池及应用系统示范项目，这个消息让现在的天威英利新能源有限公司的董事长苗连生看到了一线曙光。可是，当时太阳能产业发展前景尚不明朗，加之受政策因素制约，令不少人对这一新能源项目望而却步。在合作伙伴退出的情况下，苗连生毅然逆势而上，争取到了这个项目的批复，成为中国太阳能产业第一个“吃螃蟹”的人。
2001年，无锡尚德建立10MWp(兆瓦)太阳电池生产线获得成功，2002年9月，尚德第一条10MW太阳电池生产线正式投产，产能相当于此前四年全国太阳电池产量的总和，一举将我国与国际光伏产业的差距缩短了15年。
2003到2005年，在欧洲特别是德国市场拉动下，尚德和保定英利持续扩产，其他多家企业纷纷建立太阳电池生产线，使我国太阳电池的生产迅速增长。
2004年，洛阳单晶硅厂与中国有色设计总院共同组建的中硅高科自主研发出了12对棒节能型多晶硅还原炉，以此为基础，2005年，国内第一个300吨多晶硅生产项目建成投产，从而拉开了中国多晶硅大发展的序幕。
2007，中国成为生产太阳电池最多的国家，产量从2006年的400MW一跃达到1088MW。
2008年，中国太阳电池产量达到2600MW。
2009年，中国太阳电池产量达到4000MW。
2006年世界太阳能电池年产量2500MW。
2007年世界太阳能电池年产量4450MW。
2008年世界太阳能电池年产量7900MW。
2009年世界太阳能电池年产量10700MW。
2013年3月无锡市中级人民法院发公告称，无锡尚德太阳能电力有限公司无法归还到期债务，依法裁定破产重整。
2015年前三季度，我国光伏制造业总产值已超2000亿元。其中，多晶硅产量约为10.5万吨，同比增长20%；硅片产量约为68亿片，同比增长10%以上；电池片产量约为28GW，同比增长10%以上；组件产量约为31GW，同比增长26.4%。光伏企业盈利情况得到明显好转，产业链各环节均有较大幅度增长。2015年前三季度，我国光伏产品进出口、下游电站建设、企业盈利等领域全面向好。其中，硅片、电池片、组件等主要光伏产品出口额达到100亿美元。光伏新增装机约10.5GW ，同比增长177%，其中地面电站约为6.5GW。 目前我国光伏企业的自主研发实力普遍不强，主要的半导体原材料和设备均靠进口，技术瓶颈已严重制约我国光伏产业的发展。
在整个光伏产业链中，封装环节技术和资金门槛最低，致使我国短时间内涌现出170多家封装企业，总封装能力不少于200万千瓦。但由于原材料价格暴涨、封装产能过剩，这些企业基本上没有多少利润，产品质量也参差不齐。
相对而言，处于产业链上游、拥有先进技术的无锡尚德、南京中电光伏等太阳能电池制造商，日子要好过得多。他们生产的多为第一代晶体太阳能电池，性能稳定，是市场上的主流产品。
不过，在世界范围内，太阳能电池产品正由第一代向第二代过渡，第二代产品的薄膜太阳能电池的硅材料用量少得多，其成本已低于晶体太阳能电池。在专家看来，薄膜太阳能电池今后将和晶体太阳能电池展开激烈竞争。
中科院电工所研究员、中国可再生能源学会副理事长孔力认为，我国在晶体太阳能电池的后续研发，以及薄膜太阳能电池的研发等方面与国外存在较大差距，至少落后10年。
光伏技术的世界纪录保持者基本上是国外公司。例如，日本京瓷推出了光电转换效率为18．5%的多晶体硅太阳能电池；日本三洋利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，光电转换效率达22%；美国联合太阳能公司以微米级不锈钢带为衬底的柔性非晶硅薄膜太阳能电池，与其他公司的玻璃硬衬底太阳能电池相比具有重量轻、可弯曲等优点。
世界光伏技术不断突破，产业成本不断下降。《2007中国光伏发展报告》称，随着技术的不断进步和产业规模的不断扩大，光伏发电的成本有望在2030年以后与常规电力相竞争，成为主流能源利用形式。
在9月份于北京举行的2007世界太阳能大会暨展览会上，国际太阳能学会副主席、日本京瓷公司顾问汤川荣男介绍，日本计划在2010年、2020年和2030年将光伏发电的成本分别降到相当于每度电1．5元、0．93元和0．47元人民币的水平。另据国际能源署预测，2020年世界光伏发电的发电量将占总发电量的2%，2040年则会占到20%－28%。 我国光伏产业发展正处在上升期，如果能够突破政策和技术方面的瓶颈，必然前途无限。上海交通大学太阳能研究所所长、博士生导师崔荣强认为，当前国家应加强政策引导，促进行业缩短与国际先进水平的差距。
首先，制定以培养光伏应用市场和促进光伏产业发展为目标的中长期规划，从法律上规定和细化可再生电力采购比例和重点用途。
其次，鼓励民用上网。借鉴国外经验，逐步启动和实施真正意义的光伏屋顶计划，确立光伏发电在全国电力能源结构中的地位。
第三，建立专项扶持资金，在金融财税等环节实施费用减免政策。如目前国内电费中抽出专用资金补贴到光伏产业中；贫困地区发展光伏用电，政府补贴一部分，企业支持一部分，以成本价支持等。
第四，借鉴发达国家普通建筑必须要有光伏产品的经验，在发达地区实施公共设施、政府建筑必须采用太阳能的刚性政策。
第五，扶持上游高纯度硅原材料产业，降低光伏电池成本，进而加快光伏并网电站成本的降低和应用推广。 全国1200多所高职院校中，真正开设光伏发电技术应用专业的不超过30家。 教育部高职高专新能源分教指委主任委员戴裕崴教授说，因为国内缺少专门的高技能人才，一般只好招用电子、化工等专业毕业生，根据需要再培养。光伏产业大部分需要的是复合型技能人才，巨大的缺口亟待高职毕业生填补。
某知名太阳能公司负责人也表示：光伏产业蓬勃发展，太阳能的应用领域愈来愈广，但是专业对口的人才太少了，每年缺口约有20万。